Как рассчитать встроенное напряжение?

2024 Автор: Miles Stephen | [email protected]. Последнее изменение: 2023-12-15 23:40

В встроенный потенциал (при 300 К) равно f_я = kT / q ln (10¹⁶ х 9 х 10¹⁷/ п_я²) = 0,77 В, используя kT / q = 25,84 мВ и n_я = 10¹⁰ см^-3. В встроенный потенциал (при 100 ° C) равно f_я = kT / q ln (10¹⁶ х 9 х 10¹⁷/ п_я²) = 0,673 В, используя kT / q = 32,14 мВ и n_я = 8,55 х 10¹¹ см^-3 (из Примера 20).

Следовательно, каково встроенное напряжение pn перехода?

Существует " построен -в" НАПРЯЖЕНИЕ на p-n переход интерфейс, который предотвращает проникновение электронов на p-сторону и дырок на n-сторону. Когда Напряжение V положительный («прямая» полярность), экспоненциальный член быстро увеличивается с увеличением V, и ток велик.

Кроме того, как вы измеряете барьерный потенциал? Обычный вольтметр имеет конечный входной импеданс, что просто означает, что мера напряжение, через вольтметр должен быть небольшой (крошечный) ток. Таким образом, чтобы мера встроенный потенциал диода с вольтметром потребует, чтобы встроенный потенциал «пропустите» (крошечный) ток через вольтметр.

Тогда что такое встроенное напряжение?

4.3. 1 построен -в потенциале. В построен -в потенциале в полупроводнике равен потенциалу в обедненной области в тепловом равновесии. Он также равен сумме объемных потенциалов каждой области, поскольку объемный потенциал количественно определяет расстояние между энергией Ферми и собственной энергией.

Что подразумевается под областью истощения?

Область истощения или слой истощения это область в диоде с P-N переходом, где нет подвижных носителей заряда. Слой истощения действует как барьер, который препятствует потоку электронов с n-стороны и дырок с p-стороны.